2N7000BU onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 42374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.4 грн |
| 16+ | 17.41 грн |
| 100+ | 10.45 грн |
| 500+ | 9.08 грн |
| 1000+ | 6.18 грн |
| 2000+ | 5.69 грн |
| 5000+ | 5.36 грн |
| 10000+ | 4.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7000BU onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2N7000BU за ціною від 4.85 грн до 25.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7000BU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig |
на замовлення 22160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N7000BU | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7000BU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |