2N7000TA ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 21.38 грн |
| 22+ | 15.61 грн |
| 31+ | 11.36 грн |
| 100+ | 8.76 грн |
| 116+ | 6.85 грн |
| 318+ | 6.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7000TA ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 200, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2N7000TA за ціною від 5.26 грн до 25.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7000TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N7000TA | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 865 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N7000TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2N7000TA+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
2N7000TA Код товару: 173012 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
2N7000TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000TA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000TA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 euEccn: NLR Verlustleistung: 400 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7000TA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 400 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.9 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N7000TA | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N7000TA | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| 2N7000-TA | Виробник : Vishay | Vishay USE 2N7000KL-TR1 |
товар відсутній |