на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002BKW,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N7002BKW,115 за ціною від 1.96 грн до 104.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 17738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17738 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 275mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 32260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 66537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 60V 310mA 275mW 1.6Ω 2N7002BKW NXP T2N7002bkw кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002BKW,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |