на замовлення 424825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.19 грн |
11+ | 28.36 грн |
100+ | 14.36 грн |
1000+ | 10.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002E-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.
Інші пропозиції 2N7002E-T1-E3 за ціною від 14 грн до 43.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: 0 productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 187460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 1394018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 2006 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
товар відсутній |