2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3 Vishay / Siliconix


2n7002e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 0.24A
на замовлення 424825 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.19 грн
11+ 28.36 грн
100+ 14.36 грн
1000+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002E-T1-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.

Інші пропозиції 2N7002E-T1-E3 за ціною від 14 грн до 43.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.98 грн
10+ 33.79 грн
100+ 23.5 грн
500+ 17.22 грн
1000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+43.99 грн
25+ 34.3 грн
50+ 28.33 грн
100+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 Виробник : VISHAY 2n7002e.pdf
на замовлення 187460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 Виробник : VISHAY 2n7002e.pdf 09+
на замовлення 1394018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 Виробник : VISHAY 2n7002e.pdf 2006
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 Виробник : VISHAY 2n7002e.pdf SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : Vishay 2n7002e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 2n7002e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
товар відсутній