2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6049+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції 2N7002H6327XTSA2 за ціною від 1.69 грн до 22.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 15413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15413 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 140705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 277247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 |
на замовлення 639092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 140705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |