на замовлення 1380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002KT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V.
Інші пропозиції 2N7002KT1G за ціною від 1.37 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 720000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm |
на замовлення 94932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : onsemi | MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
на замовлення 297310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm |
на замовлення 94932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
2N7002KT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
товар відсутній |