Результат пошуку "2SA1162Y-T" : 17
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 11539
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1162YT1 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 130820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
|
2SA1162YT1 | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 130820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| 2SA1162-Y(T5LCANOF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(T5LND,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(T5RTORKF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2653 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 |
на замовлення 2742 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | 1221+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| 2SA1162-Y(TE85LЈ©TOSHIBA | TOSHIBA |
на замовлення 5788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||
|
|
2SA1162-Y(T5L,F,T) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162-Y(TE85L) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162-Y(TE85L,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162-Y(TE85R,F) | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162-YTE85LF | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162YT1 | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162S-Y, LF(D | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |
|||
|
|
2SA1162S-Y, LF(D | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |
| 2SA1162YT1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 2.36 грн |
| 2SA1162YT1 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11539+ | 1.97 грн |
| 2SA1162-Y(T5LCANOF) |
Виробник: TOSHIBA
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| 2SA1162-Y(T5LND,F) |
Виробник: TOSHIBA
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| 2SA1162-Y(T5RTORKF) |
Виробник: TOSHIBA
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| 2SA1162-Y(TE85L) |
Виробник: TOSHIBA
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| 2SA1162-Y(T5L,F,T) |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| 2SA1162-Y(TE85L) |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| 2SA1162-Y(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| 2SA1162-Y(TE85R,F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| 2SA1162-YTE85LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
| 2SA1162YT1 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
| 2SA1162S-Y, LF(D |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
| 2SA1162S-Y, LF(D |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній