Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1132T100R
2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor

2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.73 грн
12+ 22.93 грн
100+ 15.94 грн
500+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1132T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1132T100R за ціною від 7.62 грн до 124.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1132T100R 2SB1132T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2sb1132.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1132T100R Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0002830793_1-2576492.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.98 грн
12+ 25.55 грн
100+ 15.44 грн
500+ 12.03 грн
1000+ 9.33 грн
2000+ 8.21 грн
10000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1132T100R Виробник : Rohm 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 1 А; ft, МГц = 150; hFE = 180 @ 100 мA, 3 В; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1132T 100R Виробник : ROHM
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100R Виробник : ROHM 09+
на замовлення 87986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132T100R 2SB1132T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній