Продукція > ONSEMI > 2SB1203S-TL-E
2SB1203S-TL-E

2SB1203S-TL-E onsemi


2SB1203,2SD1803.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
10+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1203S-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1203S-TL-E за ціною від 65.86 грн до 65.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E Виробник : ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E Виробник : ON Semiconductor EN2085-D-1803574.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E Виробник : ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 1160en2085-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E Виробник : onsemi 2SB1203,2SD1803.pdf Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній