2SB1260T100R

2SB1260T100R Rohm Semiconductor


SOT89_DTDG.jpg Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.38 грн
2000+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1260T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1260T100R за ціною від 10.48 грн до 38.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+19.45 грн
603+ 19.36 грн
741+ 15.76 грн
1000+ 14.26 грн
2000+ 13.12 грн
4000+ 11.84 грн
Мінімальне замовлення: 600
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : Rohm Semiconductor SOT89_DTDG.jpg Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.63 грн
10+ 29.24 грн
100+ 20.31 грн
500+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1260T100R Виробник : ROHM Semiconductor rohms32747_1-2281413.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.59 грн
10+ 32.58 грн
100+ 21.15 грн
500+ 17 грн
1000+ 13.11 грн
2000+ 11.66 грн
10000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1260 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1260T100R Виробник : ROHM SOT89_DTDG.jpg SOT-89
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR SOT89_DTDG.jpg Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SB1260T100R 2SB1260T100R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR SOT89_DTDG.jpg Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній