Продукція > TOSHIBA > 2SJ168(TE85L,F)
2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA


2SJ168.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC59
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.2A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.78 грн
11+ 33.22 грн
25+ 29.37 грн
30+ 27.04 грн
81+ 25.53 грн
500+ 24.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: SC59, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 29.73 грн до 58.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 2SJ168.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC59
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.2A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.54 грн
7+ 41.39 грн
25+ 35.25 грн
30+ 32.45 грн
81+ 30.64 грн
500+ 29.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : Toshiba 7702sj168_en_datasheet_071101.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній