2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.32 грн |
| 6000+ | 19.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SJ168TE85LF за ціною від 18.93 грн до 61.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SJ168TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V |
на замовлення 6855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SJ168TE85LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SJ168TE85LF Код товару: 101280 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|