2EDN7524GXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 58.98 грн |
| 207+ | 56.31 грн |
| 232+ | 50.27 грн |
| 242+ | 46.57 грн |
| 1000+ | 40.03 грн |
| 2000+ | 36.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDN7524GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 5A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSON, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 17ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2EDN7524GXTMA1 за ціною від 38.42 грн до 126.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSONtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSON Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 17ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-8-1 Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 41543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 17ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-8-1 Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
2EDN7524GXTMA1 (Infineon, PG-WSON-8-3) MOSFET драйвер Код товару: 150215 |
Мікросхеми > Драйвери двигунів |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |