2N2219A CDIL
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.93 грн |
8+ | 44.18 грн |
25+ | 26.52 грн |
43+ | 18.76 грн |
118+ | 17.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2219A CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N2219A за ціною від 21.27 грн до 517.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2219A | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz Noise Figure: 4dB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : Semelab | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Rectron | O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Rectron | O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219A | Виробник : Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N2219 [A] (транзистор біполярний NPN) Код товару: 39848 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-5 fT: 300 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 325 |
товар відсутній
|