2N2219A

2N2219A CDIL


2n2218a_19a.pdf Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.93 грн
8+ 44.18 грн
25+ 26.52 грн
43+ 18.76 грн
118+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2219A CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції 2N2219A за ціною від 21.27 грн до 517.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N2219A 2N2219A Виробник : CDIL 2n2218a_19a.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.51 грн
5+ 55.06 грн
25+ 31.83 грн
43+ 22.51 грн
118+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N2219A 2N2219A Виробник : Good-Ark Semiconductor 2N2219A.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.8A, TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.72 грн
10+ 102.03 грн
100+ 81.22 грн
500+ 64.5 грн
1000+ 54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N2219A 2N2219A Виробник : MULTICOMP PRO 2861171.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+188.69 грн
10+ 150.95 грн
100+ 108.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.94 грн
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology 8917-lds-0091-datasheet Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.8 грн
100+ 401.61 грн
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+480.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology LDS_0091-1593924.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.12 грн
100+ 446.79 грн
500+ 387.85 грн
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+517.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
2N2219A 2N2219A Виробник : Semelab 2n2219a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : STMicroelectronics 1370-01114-002.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Semelab (TT electronics) 2n2219a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Rectron 2n2219a20to-39.pdf O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
товар відсутній
2N2219A Виробник : MICROSEMI 8917-lds-0091-datasheet 2N2219A.pdf TN2219A.pdf 2N2222.pdf TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Rectron 2n2219a20to-39.pdf O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Microchip Technology lds-0091.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : onsemi TN2219A.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : STMicroelectronics 2N2222.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Rectron 2n2219a_to-39-1396239.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-39
товар відсутній
2N2219A 2N2219A Виробник : Semelab / TT Electronics semes04930_1-2283648.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
товар відсутній
2N2219 [A] (транзистор біполярний NPN) 2N2219 [A] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 39848
2n2219a.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-5
fT: 300 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 325
товар відсутній