Продукція > PHILIPS > 2N4427

2N4427 Philips

2N4427.PDF 6077-2n4427-datasheet Виробник: Philips
Транз. Бипол. ММ NPN TO39 Uceo=20V; Ic=0,4A; f=500MHz; Pdmax=3,5W; hfe=10/200
на замовлення 136 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.21 грн
10+ 45.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4427 Philips

Description: RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 10dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 500MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції 2N4427

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N4427 (транзистор біполярный NPN) 2N4427 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 44217 		2n4427.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-39
fT: 500 MHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 200
товар відсутній
2N4427 2N4427 Виробник : Microsemi 2n4427.pdf Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N4427 Виробник : MICROSEMI 2N4427.PDF 6077-2n4427-datasheet TO39/UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N4427
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
2N4427 2N4427 Виробник : Central Semiconductor Corp 2N4427.PDF Description: RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N4427 2N4427 Виробник : Microsemi Corporation 6077-2n4427-datasheet Description: RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 10dB @ 175MHz
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N4427 Виробник : Microchip Technology 2N4427-1593496.pdf RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
товар відсутній
2N4427 Виробник : ROHM Semiconductor 2N4427.PDF 6077-2n4427-datasheet Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній