Технічний опис 30ETH06 IR
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 30ETH06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 30ETH06 | Виробник : ir |
 08+ |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 30ETH06 | Виробник : IR |
09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
30ETH06 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 30A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товар відсутній |
|
 |
30ETH06 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|
 |
30ETH06 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-30ETH06-M3 |
товар відсутній |