на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 410.69 грн |
| 10+ | 409.82 грн |
| 25+ | 408.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KPA120A Good-Ark
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 140.7V; 155.9A; unidirectional; ±5%; P600, Max. off-state voltage: 120V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 155.9A, Breakdown voltage: 140.7V, Leakage current: 2µA, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Peak pulse power dissipation: 30kW, Mounting: THT, Case: P600, Tolerance: ±5%, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 30KPA120A за ціною від 440.34 грн до 440.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30KPA120A | Виробник : Good-Ark |
 Diode TVS Single Uni-Dir 120V 30KW 2-Pin Case P-600 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
30KPA120A | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 120VWM 194.4VC AXIAL |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
30KPA120A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 140.7V; 155.9A; unidirectional; ±5%; P600 Max. off-state voltage: 120V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 155.9A Breakdown voltage: 140.7V Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Peak pulse power dissipation: 30kW Mounting: THT Case: P600 Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||
| 30KPA120A | Виробник : Littelfuse |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi Power Diode 30KPA Axial |
товар відсутній |
||||||
|
|
30KPA120A | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 140.7V; 155.9A; unidirectional; ±5%; P600 Max. off-state voltage: 120V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 155.9A Breakdown voltage: 140.7V Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Peak pulse power dissipation: 30kW Mounting: THT Case: P600 Tolerance: ±5% |
товар відсутній |