31DF6 Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 20.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 31DF6 Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 31DF6 за ціною від 16.1 грн до 53.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
31DF6 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
31DF6 | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 3A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
31DF6 | Виробник : INTERNATIONA | DIP-2 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
31DF6 | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 35 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |