Продукція > H/A > 3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E H/A


3LN01S.pdf Виробник: H/A
09+
на замовлення 818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LN01S-TL-E H/A

Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: SMCP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 3LN01S-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
3LN01S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 3LN01S.pdf
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E Виробник : SANYO 3LN01S.pdf 09+
на замовлення 36018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E Виробник : SANYO 3LN01S.pdf SOT23
на замовлення 16975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E Виробник : SANYO 3LN01S.pdf SOT23/SOT323
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E Виробник : SANYO 3LN01S.pdf SOT416-YA PB-FRE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E Виробник : SANYO 3LN01S.pdf SOT523
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01S-TL-E 3LN01S-TL-E Виробник : onsemi 3LN01S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товар відсутній
3LN01S-TL-E 3LN01S-TL-E Виробник : onsemi 3LN01S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товар відсутній