Продукція > ONSEMI > 3LN01SS-TL-H
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H onsemi


3LN01S.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3806
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LN01SS-TL-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: SMCP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 3LN01SS-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
3LN01SS-TL-H 3LN01SS-TL-H Виробник : ON Semiconductor EN6546-D-357778.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3LN01SS-TL-H Виробник : ON Semiconductor 3LN01S.pdf
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3LN01SS-TL-H 3LN01SS-TL-H Виробник : onsemi 3LN01S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товар відсутній