Результат пошуку "4N80" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT34N80B2C3G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB4N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 659-668 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP4N80 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP4N80 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH14N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH14N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET DIODE Id14 BVdass800 |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH24N80P | IXYS | MOSFET DIODE Id24 BVdass800 |
на замовлення 630 шт: термін постачання 623-632 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK44N80P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFK44N80P | IXYS | MOSFET 44 Amps 800V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 670-679 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK44N80Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK44N80Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN44N80P | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V |
на замовлення 226 шт: термін постачання 324-333 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN44N80Q3 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFR24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFR24N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT14N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO268 On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFT14N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 14A Power dissipation: 400W Case: TO268 On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX44N80P | IXYS | MOSFET 44 Amps 800V |
на замовлення 690 шт: термін постачання 771-780 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP4N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP4N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 258 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP4N80P | IXYS | MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD4N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG24N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP24N80AE-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 51A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 998 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB |
на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP24N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP4N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 25857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHU4N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251 |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP04N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP04N80C3XKSA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP04N80C3XKSA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 183-192 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB14N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF14N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 325-334 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP14N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT34N80B2C3 | APT | 09+ |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
APT34N80LC3 |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DD104N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB4N80 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQI4N80TU | Fairchild |
на замовлення 40265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQP4N80 | Fairchild | 07+ |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF4N80 | Fairchild |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN44N80 | IXYS | MODULE |
на замовлення 431 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
APT34N80B2C3G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 34A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FQB4N80TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Channel QFET
MOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 659-668 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.6 грн |
10+ | 125.92 грн |
100+ | 87.73 грн |
250+ | 87.07 грн |
500+ | 84.43 грн |
800+ | 63.78 грн |
2400+ | 60.68 грн |
FQP4N80 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.7 грн |
10+ | 80.39 грн |
12+ | 68.71 грн |
32+ | 65.27 грн |
FQP4N80 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.02 грн |
10+ | 96.47 грн |
12+ | 82.45 грн |
32+ | 78.33 грн |
IXFH14N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 481.7 грн |
3+ | 304.38 грн |
8+ | 287.89 грн |
IXFH14N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 578.05 грн |
3+ | 379.31 грн |
8+ | 345.47 грн |
IXFH14N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id14 BVdass800
MOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 562.54 грн |
30+ | 442.23 грн |
120+ | 344.32 грн |
510+ | 338.38 грн |
IXFH24N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id24 BVdass800
MOSFET DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 630 шт:
термін постачання 623-632 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 792.63 грн |
10+ | 688.76 грн |
30+ | 583.09 грн |
60+ | 550.11 грн |
120+ | 517.79 грн |
270+ | 501.3 грн |
IXFK24N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 828.74 грн |
2+ | 525.63 грн |
5+ | 496.77 грн |
IXFK24N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 994.49 грн |
2+ | 655.01 грн |
5+ | 596.12 грн |
IXFK44N80P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXFK44N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET 44 Amps 800V
MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 670-679 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1451.36 грн |
10+ | 1271.33 грн |
25+ | 1030.97 грн |
50+ | 1011.84 грн |
IXFK44N80Q3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2116.98 грн |
IXFK44N80Q3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2540.38 грн |
IXFN44N80P |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V
Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 324-333 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2451.77 грн |
10+ | 2104.98 грн |
IXFN44N80Q3 |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
Discrete Semiconductor Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4367.93 грн |
10+ | 3914.12 грн |
20+ | 3290.13 грн |
50+ | 3176.68 грн |
100+ | 3137.76 грн |
IXFR24N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 932.33 грн |
2+ | 588.15 грн |
3+ | 587.46 грн |
4+ | 555.86 грн |
IXFR24N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1118.8 грн |
2+ | 732.93 грн |
3+ | 704.96 грн |
4+ | 667.03 грн |
IXFT14N80P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 524.62 грн |
3+ | 368.28 грн |
6+ | 348.36 грн |
IXFT14N80P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 629.55 грн |
3+ | 458.94 грн |
6+ | 418.03 грн |
IXFX44N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET 44 Amps 800V
MOSFET 44 Amps 800V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 771-780 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1448.28 грн |
10+ | 1426.83 грн |
IXTP4N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.74 грн |
10+ | 87.26 грн |
26+ | 82.45 грн |
IXTP4N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.93 грн |
3+ | 142.99 грн |
10+ | 104.71 грн |
26+ | 98.94 грн |
IXTP4N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.85 грн |
10+ | 177.5 грн |
100+ | 110.81 грн |
500+ | 97.62 грн |
1000+ | 95.64 грн |
SIHA24N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 238.56 грн |
10+ | 203.29 грн |
50+ | 149.73 грн |
100+ | 137.86 грн |
250+ | 130.6 грн |
500+ | 122.69 грн |
1000+ | 100.92 грн |
SIHB24N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.48 грн |
10+ | 196.46 грн |
100+ | 142.48 грн |
250+ | 137.86 грн |
500+ | 126.64 грн |
1000+ | 108.18 грн |
2500+ | 104.22 грн |
SIHD4N80E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.82 грн |
10+ | 98.61 грн |
100+ | 68.6 грн |
250+ | 65.04 грн |
500+ | 60.49 грн |
1000+ | 49.21 грн |
3000+ | 48.75 грн |
SIHG24N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 287.04 грн |
10+ | 237.43 грн |
100+ | 167.54 грн |
500+ | 165.56 грн |
SIHG24N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V
MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 335.52 грн |
10+ | 277.63 грн |
25+ | 228.22 грн |
100+ | 195.9 грн |
250+ | 184.69 грн |
500+ | 172.82 грн |
1000+ | 140.5 грн |
SIHP24N80AE-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 260.16 грн |
5+ | 221.76 грн |
6+ | 181.39 грн |
15+ | 171.5 грн |
500+ | 166.55 грн |
SIHP24N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.3 грн |
10+ | 157.78 грн |
25+ | 135.88 грн |
100+ | 118.07 грн |
250+ | 117.41 грн |
500+ | 109.5 грн |
1000+ | 102.9 грн |
SIHP24N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V
MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 280.88 грн |
10+ | 232.87 грн |
25+ | 190.63 грн |
100+ | 163.58 грн |
250+ | 154.35 грн |
500+ | 145.11 грн |
1000+ | 124.67 грн |
SIHP4N80E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 25857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.14 грн |
10+ | 116.82 грн |
100+ | 81.13 грн |
250+ | 74.54 грн |
500+ | 68.6 грн |
SIHU4N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
MOSFET Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.81 грн |
10+ | 89.51 грн |
100+ | 60.68 грн |
500+ | 51.38 грн |
1000+ | 41.95 грн |
SPA04N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.56 грн |
SPD04N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 41.32 грн |
SPD04N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.2 грн |
10+ | 95.58 грн |
100+ | 65.63 грн |
250+ | 64.44 грн |
500+ | 55.01 грн |
1000+ | 47.1 грн |
2500+ | 44 грн |
SPP04N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.74 грн |
10+ | 96.34 грн |
100+ | 66.62 грн |
250+ | 63.78 грн |
500+ | 53.82 грн |
1000+ | 47.89 грн |
2500+ | 45.45 грн |
SPP04N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.09 грн |
SPP04N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 52.28 грн |
SPP04N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 46.75 грн |
SPP04N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 183-192 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.04 грн |
10+ | 84.96 грн |
100+ | 61.94 грн |
250+ | 60.09 грн |
500+ | 53.89 грн |
1000+ | 45.51 грн |
2500+ | 44.85 грн |
STB14N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.96 грн |
10+ | 226.81 грн |
25+ | 191.29 грн |
100+ | 160.28 грн |
250+ | 155.01 грн |
500+ | 142.48 грн |
1000+ | 121.37 грн |
STF14N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.18 грн |
10+ | 201.77 грн |
25+ | 174.14 грн |
100+ | 141.82 грн |
500+ | 126.64 грн |
1000+ | 107.52 грн |
2000+ | 100.92 грн |
STF4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.97 грн |
10+ | 81.92 грн |
100+ | 61.94 грн |
250+ | 61.21 грн |
500+ | 54.81 грн |
1000+ | 51.05 грн |
2000+ | 48.75 грн |
STL4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 325-334 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.82 грн |
10+ | 106.96 грн |
100+ | 74.54 грн |
250+ | 68.6 грн |
500+ | 61.94 грн |
1000+ | 53.49 грн |
3000+ | 50.79 грн |
STP14N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 255.49 грн |
10+ | 211.64 грн |
25+ | 173.48 грн |
100+ | 148.41 грн |
250+ | 140.5 грн |
500+ | 132.58 грн |
1000+ | 115.43 грн |
STP4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.44 грн |
10+ | 90.27 грн |
100+ | 67.28 грн |
250+ | 59.17 грн |
500+ | 56.46 грн |
1000+ | 54.81 грн |
2000+ | 52.18 грн |
STU4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.35 грн |
10+ | 92.54 грн |
100+ | 64.44 грн |
250+ | 61.08 грн |
500+ | 53.49 грн |
1000+ | 43.53 грн |
3000+ | 42.08 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]