50C02CH-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.2 грн |
| 6000+ | 7.56 грн |
| 9000+ | 6.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 50C02CH-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 50C02CH-TL-E за ціною від 5.99 грн до 35.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
50C02CH-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Current gain: 300...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 500MHz |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
50C02CH-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
50C02CH-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Current gain: 300...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 500MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
50C02CH-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: 3-CPH Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 16910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
50C02CH-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 50V |
на замовлення 151930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
50C02CH-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 50C02CH-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 50C02CH-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 50C02CH-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 50C02CH-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R |
товар відсутній |