на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 310.54 грн |
| 10+ | 259.13 грн |
| 25+ | 215.44 грн |
| 100+ | 182.5 грн |
| 250+ | 173.94 грн |
| 500+ | 166.03 грн |
| 800+ | 131.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 5KP170CA Littelfuse
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 170V, Breakdown voltage: 199V, Max. forward impulse current: 18.5A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Peak pulse power dissipation: 5kW, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 5KP170CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
5KP170CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
|
|
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
товар відсутній |
|
|
|
5KP170CA | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170V 275V P600 |
товар відсутній |
|
|
|
5KP170CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 199V; 18.5A; bidirectional; ±5%; P600; 5kW; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |