Результат пошуку "7407) 7407*_SMD" : 4

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AO7407 AO7407 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO7407-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 400mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+19.51 грн
29+ 9.07 грн
100+ 7.66 грн
143+ 6.67 грн
391+ 6.34 грн
3000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
AON7407 AON7407 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7407-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -29A; 12W; DFN3x3 EP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -29A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+60.31 грн
9+ 31.3 грн
25+ 18.12 грн
74+ 12.93 грн
203+ 12.27 грн
5000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
AO7407 AO7407-DTE.pdf
AO7407
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 400mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+19.51 грн
29+ 9.07 грн
100+ 7.66 грн
143+ 6.67 грн
391+ 6.34 грн
3000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
AON7407 AON7407-DTE.pdf
AON7407
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -29A; 12W; DFN3x3 EP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -29A
Power dissipation: 12W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.31 грн
9+ 31.3 грн
25+ 18.12 грн
74+ 12.93 грн
203+ 12.27 грн
5000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 5