A1C15S12M3-F STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 142.8W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142.8W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: ACEPACK 1 M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3619.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A1C15S12M3-F STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - A1C15S12M3-F - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 142.8W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142.8W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: ACEPACK 1 M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції A1C15S12M3-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A1C15S12M3-F | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Modules PTD NEW MAT & PWR SOLUTION |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
A1C15S12M3-F | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 15A 142800mW 23-Pin ACEPACK-1 Tray |
товар відсутній |
|
 |
A1C15S12M3-F | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: ACEPACK™ 1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 142.8 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 985 pF @ 25 V |
товар відсутній |