A1P35S12M3-F

A1P35S12M3-F STMicroelectronics


dm00292856-1798870.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Modules ACEPACK1 sixpack topology, 1200 V, 35 A trench-gate field stop IGBT M series, so
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A1P35S12M3-F STMicroelectronics

Description: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: ACEPACK™ 1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.154 nF @ 25 V.

Інші пропозиції A1P35S12M3-F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A1P35S12M3-F A1P35S12M3-F Виробник : STMicroelectronics a1p35s12m3-f.pdf Description: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: ACEPACK™ 1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.154 nF @ 25 V
товар відсутній