Технічний опис AO4407 ALPHA
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO4407
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AO4407 | Виробник : AO |
 09+ |
на замовлення 5628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AO |
SOP-8 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOS |
05+ |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOS |
07+ SOP-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOS |
09+ SOP-8 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOS |
SO-8 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOS |
SOP8 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4407 | Виробник : AOSMD |
|
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
AO4407 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
AO4407 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|
 |
AO4407 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V |
товар відсутній |