AO4480 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.52 грн |
| 6000+ | 15.99 грн |
| 9000+ | 14.8 грн |
| 30000+ | 13.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4480 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 20 V.
Інші пропозиції AO4480 за ціною від 14.7 грн до 46.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 20 V |
на замовлення 31249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AO4480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AO4480 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AO4480 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |