AO4813 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.81 грн |
| 6000+ | 20.92 грн |
| 9000+ | 19.95 грн |
| 30000+ | 18.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4813 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції AO4813 за ціною від 18.59 грн до 55.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4813 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 64175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AO4813 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4813 TAO4813 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| AO4813 | Виробник : Alpha&Omega Semiconductor |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 7,1 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1888 @ 15; Qg, нКл = 40; Rds = 25 мОм @ 7,1 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 В; SOICN-8 |
на замовлення 82 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
AO4813 Код товару: 144905 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
AO4813 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
AO4813 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AO4813 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AO4813 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.6A; 1.3W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.6A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
AO4813 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.6A; 1.3W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.6A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |