AO4932


AO4403_1.jpg Виробник: AO
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4932 AO

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції AO4932

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO4932 Виробник : AO AO4403_1.jpg SO-8
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4932 Виробник : AOS AO4403_1.jpg 09+ SOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4932 AO4932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4932.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A/8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AO4932 AO4932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4403_1.jpg Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
AO4932 AO4932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4403_1.jpg Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній