AO7404 AOS


AO7400_1.jpg Виробник: AOS
08+ SOT-323
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO7404 AOS

Description: MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 10 V.

Інші пропозиції AO7404

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO7404 Виробник : AO AO7400_1.jpg SC70-3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO7404 AO7404 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 46890889252968784ao7404.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SC-70
товар відсутній
AO7404 AO7404 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7400_1.jpg Description: MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 10 V
товар відсутній
AO7404 AO7404 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7400_1.jpg Description: MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 10 V
товар відсутній