AO8810 ALPHA&OMEGA


AO8803_3.jpg Виробник: ALPHA&OMEGA
2N-MOSFET 20V 7A 1.5W AO8810 TSSOP8 TAO8810
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 96 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO8810 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP.

Інші пропозиції AO8810

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO8810 AO8810 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao8810.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7A 8-Pin TSSOP
товар відсутній
AO8810 AO8810 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao8810.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7A 8-Pin TSSOP
товар відсутній
AO8810 AO8810 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO8810-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.7A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
AO8810 AO8810 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8803_3.jpg Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товар відсутній
AO8810 AO8810 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8803_3.jpg Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товар відсутній
AO8810 AO8810 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO8810-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.7A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
товар відсутній