AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOD1N60 за ціною від 9.89 грн до 38.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOD1N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AOD1N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.8A; 45W; TO252 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.8A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: TO252 |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOD1N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.8A; 45W; TO252 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.8A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOD1N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 42965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOD1N60 Код товару: 143592 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
AOD1N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |