AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 17.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.26mJ
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.42 грн |
| 5+ | 86.26 грн |
| 12+ | 71.88 грн |
| 31+ | 67.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: IGBT 600V 20A 163W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 17.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 163 W.
Інші пропозиції AOT10B60D за ціною від 50.32 грн до 126.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AOT10B60D | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 82W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 17.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 80.8ns Collector-emitter saturation voltage: 1.53V Turn-off switching energy: 0.07mJ Turn-on switching energy: 0.26mJ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 476 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AOT10B60D | Виробник : ALPHA&OMEGA |
20A; 600V; 163W; IGBT w/ Diode AOT10B60D TAOT10b60d кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
AOT10B60D | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AOT10B60D | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AOT10B60D | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: IGBT 600V 20A 163W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17.4 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 163 W |
товар відсутній |