APT100M50J

APT100M50J Microchip Technology


apt100m50j_c.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT100M50J Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 65A, Pulsed drain current: 490A, Power dissipation: 960W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 36mΩ, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT100M50J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT100M50J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100M50J Виробник : MICROSEMI SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100M50J APT100M50J Виробник : Microchip / Microsemi Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товар відсутній
APT100M50J APT100M50J Виробник : Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товар відсутній
APT100M50J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній