APT10M11JVRU3 Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2267.2 грн |
| 100+ | 1937.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M11JVRU3 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 11mΩ, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: screw, Topology: buck chopper, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M11JVRU3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10M11JVRU3 | Виробник : Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT10M11JVRU3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT10M11JVRU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: buck chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT10M11JVRU3 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
товар відсутній |
|
| APT10M11JVRU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: buck chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |