APT21M100J

APT21M100J Microsemi


APT21M100J_C-598268.pdf Виробник: Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT21M100J Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1kV; 13A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 462W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 13A, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.38Ω, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 462W, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT21M100J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT21M100J APT21M100J Виробник : Microchip Technology 6760-apt21m100j-datasheet Description: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT21M100J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6760-apt21m100j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 13A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 462W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 462W
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT21M100J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6760-apt21m100j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 13A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 462W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 462W
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній