APT5010JLLU2

APT5010JLLU2 Microchip Technology


7076-apt5010jllu2-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2062.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT5010JLLU2 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 378W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT5010JLLU2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT5010JLLU2 APT5010JLLU2 Виробник : Microchip Technology 797076-apt5010jllu2-rev2-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 41A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT5010JLLU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7076-apt5010jllu2-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Power dissipation: 378W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 164A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT5010JLLU2 Виробник : Microchip Technology APT5010JLLU2_Rev2-1859355.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SOT227
товар відсутній
APT5010JLLU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7076-apt5010jllu2-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Power dissipation: 378W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 164A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.1Ω
товар відсутній