Технічний опис APTM20HM08FG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W, Pulsed drain current: 832A, Power dissipation: 781W, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Drain current: 155A, Drain-source voltage: 200V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 10mΩ, Topology: H-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM20HM08FG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM20HM08FG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W Pulsed drain current: 832A Power dissipation: 781W Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Drain current: 155A Drain-source voltage: 200V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6C On-state resistance: 10mΩ Topology: H-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM20HM08FG | Виробник : MICROSEMI |
SP6/208 A, 200 V, 0.01 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM20HM08 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM20HM08FG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 |
товар відсутній |
||
| APTM20HM08FG | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
товар відсутній |
||
| APTM20HM08FG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W Pulsed drain current: 832A Power dissipation: 781W Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Drain current: 155A Drain-source voltage: 200V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6C On-state resistance: 10mΩ Topology: H-bridge |
товар відсутній |