AUIRF8739L2TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 256.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF8739L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 350 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DirectFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRF8739L2TR за ціною від 231.69 грн до 650.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF8739L2TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 350 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF8739L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V |
на замовлення 4107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF8739L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRF8739L2TR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 350 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRF8739L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|