Продукція > ONSEMI > BC63916-D27Z
BC63916-D27Z

BC63916-D27Z onsemi


bc63916-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+7.97 грн
6000+ 7.36 грн
10000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC63916-D27Z onsemi

Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 6.24 грн до 624 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
485+23.7 грн
802+ 14.34 грн
810+ 14.19 грн
819+ 13.55 грн
1436+ 7.15 грн
Мінімальне замовлення: 485
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : onsemi bc63916-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.48 грн
13+ 22.1 грн
100+ 13.24 грн
500+ 11.51 грн
1000+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+31.81 грн
24+ 23.9 грн
26+ 22.01 грн
100+ 12.84 грн
250+ 11.77 грн
500+ 11.18 грн
1000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : onsemi / Fairchild BC63916_D-2310095.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.4 грн
13+ 24.55 грн
100+ 11.87 грн
1000+ 8.11 грн
2000+ 7.07 грн
10000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.12 грн
27+ 27.95 грн
100+ 13.68 грн
500+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC63916-D27Z Виробник : Fairchild/ON Semiconductor bc63916-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мА, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 6.24 грн
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ON Semiconductor 3665190031574338bc63916.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ONSEMI BC63916D27Z.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BC63916-D27Z BC63916-D27Z Виробник : ONSEMI BC63916D27Z.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товар відсутній