BC63916-D27Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 7.97 грн |
6000+ | 7.36 грн |
10000+ | 6.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC63916-D27Z onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 6.24 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 12238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мА, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товар відсутній |