BC847ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847ALT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції BC847ALT1G за ціною від 0.74 грн до 312 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 36988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 54710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC847A smd TBC847a кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 80568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 110 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847ALT1G |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BC847ALT1G | BC847ALT1G Транзисторы Bipolar |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BC847ALT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |