BC857CLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.22 грн |
| 6000+ | 1.11 грн |
| 9000+ | 0.95 грн |
| 30000+ | 0.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CLT1G onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції BC857CLT1G за ціною від 0.72 грн до 7.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC857CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 70395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC857CLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP |
на замовлення 11592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC857CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BC857CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR TBC857c ONS кількість в упаковці: 200 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BC857CLT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=270, -55...+150 |
на замовлення 574 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BC857CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BC857CLT1G Код товару: 46298 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|