BCP55,115 NEXPERIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 3.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP55,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCP55,115 за ціною від 3.81 грн до 624 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73 |
на замовлення 11021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2135272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN; Uceo, В = 60; Ic = 1 A; ft, МГц = 180; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 1,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP55,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
товар відсутній |