BFG67,215 NXP

Виробник: NXP
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 (то же что и BFG67/X только др. разводка контактов)

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	19.16 грн
17+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 15

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BFG67,215 NXP

Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFG67,215

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
BFG67,215			на замовлення 18000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів)
BFG67,215	Виробник : NXP Semiconductors	Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 380mW 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R	товар відсутній
BFG67,215	Виробник : NXP USA Inc.	Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete	товар відсутній
BFG67,215	Виробник : NXP Semiconductors	RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS	товар відсутній
BFG67,215	Виробник : Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT	товар відсутній