BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 11.39 грн |
| 52+ | 11.21 грн |
| 100+ | 10.79 грн |
| 250+ | 9.99 грн |
| 500+ | 9.58 грн |
| 1000+ | 9.57 грн |
| 3000+ | 9.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU725F/N1,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 25mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFU725F/N1,115 за ціною від 9.66 грн до 40.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active |
на замовлення 7462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.8V Collector current: 40mA Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BFU725F/N1,115 | Виробник : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.8V Collector current: 40mA Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) |
товар відсутній |