BS170-D26Z Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 140646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3143+ | 6.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170-D26Z Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BS170-D26Z за ціною від 5.7 грн до 31.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170-D26Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 28321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 55716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 3796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 5594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BS170-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |