BSO119N03S INFINEON


BSO119N03S.pdf Виробник: INFINEON

на замовлення 1195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO119N03S INFINEON

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSO119N03S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO119N03S Виробник : INFINEON BSO119N03S.pdf 0351+
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO119N03S Виробник : INFINEON BSO119N03S.pdf 09+ SOP8
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO119N03S Виробник : INFINEON BSO119N03S.pdf SOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO119N03S Виробник : INFINEON BSO119N03S.pdf SOP8
на замовлення 15336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSO119N03S BSO119N03S
Код товару: 85857
BSO119N03S.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSO119N03S BSO119N03S Виробник : Infineon Technologies BSO119N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товар відсутній
BSO119N03S BSO119N03S Виробник : Infineon Technologies BSO119N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товар відсутній
BSO119N03S BSO119N03S Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8
товар відсутній