BSP33,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 14.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP33,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSP33,115 за ціною від 10.95 грн до 45.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP33,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73 |
на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : NXP SEMICONDUTORS | TRANS PNP 80V 1000MA SOT223 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSP33,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |