BUK7108-40AIE,118 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-426
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 370+ | 54.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7108-40AIE,118 NXP USA Inc.
Description: PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V, FET Feature: Current Sensing, Power Dissipation (Max): 221W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-426, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7108-40AIE,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7108-40AIE,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 117A Automotive 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
BUK7108-40AIE,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET |
товар відсутній |